型号:SI2311DS-T1-GE3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 描述:MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 8V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 3A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 45 毫欧 @ 3.5A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 800mV @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 12nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 970pF @ 4V |
功率_最大 | 710mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
深圳市品优时代科技有限公司 | 唐0755-23612326 |
深圳市恒佳微电子有限公司 | 朱经理、张小姐0755-82533156 82710336 |
深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
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0805(2012 公制)
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RES 130K OHM 1/8W .25% SMD 0805
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RES 5.36K OHM 1/8W 1% SMD 0805
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