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电子元器件详细资料 » IC[27025] » SI2311DS-T1-GE3
型号:SI2311DS-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3描述:MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)8V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C45 毫欧 @ 3.5A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222800mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs12nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds970pF @ 4V
功率_最大710mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3
包装带卷 (TR)

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市品优时代科技有限公司唐0755-23612326
深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
深圳市富乐亚科技有限公司郑小姐0755-18503085056
深圳市鑫远鹏科技有限公司谌小姐15112667855
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
深圳诚思涵科技有限公司朱先生0755-83015506-23947236
深圳市科雨电子有限公司汪小姐,15173547089,无线联通更快捷!171-4729-1886(微信同号)
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SI2311DS-T1-GE3相关型号

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